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IRFL014NTRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:1.9A
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- 描述
- N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFL014NTRPBF
- 商品编号
- C57685
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计与其他SOT或SOIC封装一样，便于自动拾放，此外，由于散热片的散热片增大，还具有改善散热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功耗可达1.0W。
商品特性
- 表面贴装
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 全雪崩额定值
- 无铅