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IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF
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- 描述
- IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRS2186STRPBF
- 商品编号
- C481265
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 22ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | 170ns | |
| 传播延迟 tpHL | 170ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
商品概述
IRS2186(4) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高可工作至 600 V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 最高可全功能工作至 +600 V
- 耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
- 双通道欠压锁定
- 与 3.3 V 和 5 V 逻辑兼容
- 双通道传播延迟匹配
- 逻辑地和功率地有 +/-5 V 偏移
- 较低的 di/dt 栅极驱动器，具有更好的抗噪性
- 输出源/灌电流为 4 A / 4 A
- 符合 RoHS 标准
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交34单