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EG2113D
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
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- 描述
- EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2A，采用SOP16和SOW16封装。
- 品牌名称
- EG(屹晶微)
- 商品型号
- EG2113D
- 商品编号
- C480657
- 商品封装
- SOP-16-W
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 350ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 工作温度 | -45℃~+105℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 1V | |
| 静态电流(Iq) | 50uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |