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VBE1806
1个N沟道 耐压:80V 电流:75A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1806
- 商品编号
- C480953
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.1nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.855nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35.5pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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