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VBE16R02

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A

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描述
TO252；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBE16R02
商品编号
C480952
商品封装
TO-252
包装方式
编带
商品毛重
2.42克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1.3A
导通电阻(RDS(on))4.4Ω@10V,1.2A
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)350pF
反向传输电容(Crss)8.6pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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