温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）型号ID:30A，具备1200V的漏源击穿电压VDSS，确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ，在减少能量损耗方面表现出色，特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到+18V，使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中，是提升设备效能的理想选择。
- 商品型号
- IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C45896858
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单