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IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）型号ID:30A，具备1200V的漏源击穿电压VDSS，确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ，在减少能量损耗方面表现出色，特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到+18V，使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中，是提升设备效能的理想选择。
- 商品型号
- IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C45896858
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.672464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ |
商品特性
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 雪崩耐用性
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 辅助电源
- 智能电表
- IMZA65R048M1H-HXY
- IDH02G120C5-HXY
- FFSH2065A-HXY
- HC3D10065F
- HSI2309A
- 0-2.5MPa/0-0.25MPa
- 1650*590*460
- 0088000012
- 0805HQ-12NXGLC
- 0805LS-122XJLC
- 0805LS-182XJLC
- 1206CS-270XGLC
- 0402X225K250NT
- C3216X7R2A105KT0L0S
- FP75R12N2T7
- 0132M4-30.000F18ATNHL
- 3131M-32.768DT06NNL
- 3426T-32.768DTTLNNL
- HCTT8-6.000-ZTTCPL
- V175D8-100.000J33DT1LL
- MPM3695GPJ-20-0022-T