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G3R75MT12J-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:30A，拥有1200V的漏源击穿电压VDSS，适用于高要求的电力转换场景。其导通电阻RDON为75mΩ，在保证低损耗的同时提升了能效。栅极与源极间的电压VGS范围是-4V到+18V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。凭借快速的开关特性和优秀的耐高压能力，此款MOSFET非常适合用于高效电源管理系统及需要高转换效率的设备中，是提升整体性能的关键元件。
- 商品型号
- G3R75MT12J-HXY
- 商品编号
- C45896860
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ |
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