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HC2M0040065K
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- ID:49A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)，具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和45毫欧姆的导通电阻(RDON)，在提高能效方面表现出色。其栅极-源极电压(VGS)范围为-4V至+18V，确保了器件在不同应用场景下的稳定性和灵活性。此款MOSFET适用于高效能量转换系统，如高频开关电源等环境，凭借其优异的开关速度和低损耗特性，能够显著提升系统的整体效能和响应速度，是高性能电源管理解决方案的理想选择。
- 商品型号
- HC2M0040065K
- 商品编号
- C45896863
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 241W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ |
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