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HSI2309A
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此款P沟道场效应管(MOSFET)具有2A的漏极电流(ID)能力和60V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于低压应用环境。其导通电阻(RDON)为160毫欧(mR)，保证了在导通状态下的低能耗。栅源电压(VGS)额定值为20V，确保了器件在各种操作条件下的稳定性与可靠性。该MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性，非常适合应用于电池供电设备及需要高效电源管理的电路中，满足对能效和空间布局有严格要求的设计需求。
- 商品型号
- HSI2309A
- 商品编号
- C45896884
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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