HC3D20065H

HC3D20065H

描述

此款碳化硅二极管专为高效能应用设计，具备20A的正向电流(IF)，适合于需要高电流处理能力的场合。其反向电压(VR)高达650V，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。正向电压(VF)低至1.35V，有助于减少能量损耗，提高整体效率。漏电流(IR)仅为10微安(uA)，保证了设备在待机状态下的低能耗。此外，它拥有150A的非重复性峰值正向浪涌电流(IFSM)，使其能够承受瞬时的大电流冲击，保护电路不受损坏。该二极管是追求高效、可靠电力转换解决方案的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HC3D20065H

商品编号

C45896876

商品封装

TO-247-2L​

包装方式

管装

商品毛重

6.18克(g)