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HC3M0075120J
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）专为高性能应用设计，具有30A的连续漏极电流(ID)能力和1200V的漏源击穿电压(VDSS)，确保在高压环境下表现出色。其低导通电阻(RDON)仅为75毫欧姆，有助于减少能量损耗，提高效率。该器件支持-4/+18V的栅源电压(VGS)，适用于需要快速开关和高效能的场合。凭借其卓越的热稳定性和耐用性，这款MOSFET非常适合用于构建可靠且高效的电力电子系统，如电源转换器和逆变器等设备中。
- 商品型号
- HC3M0075120J
- 商品编号
- C45896864
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ |
商品特性
- 高阻断电压和低导通电阻
- 高速开关和低电容
- 雪崩耐用性
应用领域
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- 辅助电源
- 智能电表