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UF3C065040K4S-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- ID:49A是一款采用先进碳化硅技术的N沟道场效应管(MOSFET)，具有650V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效率能量转换应用。其导通电阻(RDON)仅为45毫欧姆，确保了低损耗和高效能。该器件的最大栅极-源极电压(VGS)为-4/+18V，保证了宽范围的操作稳定性和兼容性。凭借其卓越的开关性能和耐用性，ID:49A非常适合于需要高可靠性和性能的电源管理系统中，如高频开关电源等场合。
- 商品型号
- UF3C065040K4S-HXY
- 商品编号
- C45896861
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 241W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ |
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