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CMS120N080B-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- ID:30A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)，具备1200V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效能电力转换应用。其导通电阻(RDON)为75毫欧姆，确保了在高电压条件下的低能量损耗和高效率。栅极-源极电压(VGS)范围从-4V到+18V，保证了操作的灵活性与稳定性。该MOSFET凭借其出色的开关特性和耐高温性能，非常适合用于需要严格控制能耗及空间受限的电源管理系统，如高频开关电源等场景中。
- 商品型号
- CMS120N080B-HXY
- 商品编号
- C45896862
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ |
优惠活动
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