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IMZA65R048M1H-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:49A，具有650V的漏源击穿电压VDSS，适用于需要高耐压保护的应用场景。其导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于减少功率损耗，提高能效。栅极源极电压VGS范围为-4V至+18V，确保了宽范围的操作条件下的稳定性与可靠性。此款MOSFET凭借其卓越的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高效电力转换系统，如高端电源管理和可再生能源设备中，是实现高性能、低维护解决方案的关键组件。
- 商品型号
- IMZA65R048M1H-HXY
- 商品编号
- C45896859
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ |
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