PE4259-63
10MHz-3.0GHzSPDT高功率UltraCMOS射频开关
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- 描述
- PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。这款反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有低电压CMOS兼容控制接口，可以通过单针或互补控制输入进行控制。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE4259-63
- 商品编号
- C470892
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 30dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.35dB | |
| 工作电压 | 1.8V~3.3V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
PE4259 UltraCMOS射频开关设计用于覆盖从10 MHz到3000 MHz的广泛应用范围。这款反射式开关将片上CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制接口集成在一起，可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称+3伏电源电压时，典型输入1dB压缩点可达+33.5 dBm。 PE4259采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 单引脚或互补CMOS逻辑控制输入
- 低插入损耗：1000 MHz时为0.35 dB；2000 MHz时为0.5 dB
- 1000 MHz时隔离度为30 dB
- 高静电放电（ESD）耐受性，人体模型（HBM）为2 kV
- 典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm
- 最低电源电压为1.8V
- 超小型SC - 70封装