温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UF3C065080T3S
碳化硅共源共栅JFET - 功率N沟道，650V，80毫欧
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（Si MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替换”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SiC MOSFET）或硅超结器件。该器件采用TO220-3封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，与推荐的RC缓冲器配合使用时，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UF3C065080T3S
- 商品编号
- C45343118
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC |
商品概述
该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的“级联”电路配置，其中将一个常开型碳化硅结型场效应晶体管与一个硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，以形成一个常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，使其能够作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的真正“直接替换”方案。该器件采用TO220-3封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，使其在配合推荐的RC缓冲电路使用时，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 典型导通电阻 R_DS(on),typ 为 80 mΩ
- 最高工作温度为 175℃
- 出色的反向恢复特性
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- 具备ESD保护，符合HBM 2级标准
- 极低的开关损耗（在典型工作条件下，所需RC缓冲电路的损耗可忽略不计）
- 该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热