UJ4SC075018L8S

碳化硅级联JFET功率N沟道晶体管

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UJ4SC075018L8S
商品编号: C45343226
商品封装: H-PDSO-F8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

UJ4C075018L8S 是一款 750 V、18 mΩ 的 G4 碳化硅场效应晶体管。它基于独特的“级联”电路配置，将常通型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共封装，从而构成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具备标准的栅极驱动特性，允许使用现成的栅极驱动器，因此在替换硅绝缘栅双极型晶体管、硅超结器件或碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管时，仅需最少的重新设计。该器件采用节省空间的 H-PDSO-F8 封装，支持自动化组装，具备超低的栅电荷和优异的反向恢复特性，使其成为开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动应用的理想选择。

商品特性

导通电阻 R_DS(on): 18 mΩ (典型值)
工作温度: 175 ~ °C (最大值)
优异的反向恢复特性: Q_rr = 128 ~ nC
低体二极管正向电压 VFSD: 1.14 V
低栅电荷: Q_G = 37.8 ~ nC
阈值电压 V_G(th): 4.8 V (典型值)，支持 0 至 15 V 驱动
低本征电容
具备 ESD 保护: HBM 2 级
H-PDSO-F8 封装，可实现更快开关速度和更纯净的栅极波形
该器件无铅、无卤素，符合 RoHS 标准

应用领域

固态继电器和断路器
AC-DC 前端中的线路整流和有源桥式整流电路
电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	类型	N沟道
	配置	-
	漏源电压(Vdss)	750V
	连续漏极电流(Id)	53A
	耗散功率(Pd)	349W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	6V
	栅极电荷量(Qg)	37.8nC
	输入电容(Ciss)	1.414nF
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	输出电容(Coss)	118pF
	导通电阻(RDS(on))	23mΩ