UJ3C065030B3

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开碳化硅结型场效应管（JFET）与硅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）共同封装，形成常关碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用D2PAK-3封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UJ3C065030B3
商品编号: C45343196
商品封装: D2PAK
包装方式: 编带
商品毛重: 1.86克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	51nC

商品概述

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的“级联”电路配置，其中将一个常开型碳化硅结型场效应晶体管与一个硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，以形成一个常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具备标准的栅极驱动特性，使其能够作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的真正“直接替换”方案。此器件采用D2PAK-3封装，展现出极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

典型导通电阻 R_DS(on),typ 为 27 mΩ
最高工作温度为 175°C
出色的反向恢复特性
低栅极电荷
低本征电容
具备静电放电保护：人体模型等级2和带电器件模型等级C3
该器件为无卤素且符合RoHS指令（豁免7a），二级互连为无铅2LI

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动

数据手册PDF

放大查看下载PDF