- 引脚图
- 焊盘图
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UJ3N120065K3S
碳化硅（SiC）JFET，功率N沟道，1200V，66毫欧
- 描述
- 提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (QG)，可降低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0V时具有低RDS(on)的常开特性，也适用于无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ3N120065K3S
- 商品编号
- C45343209
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
商品概述
安森美提供高性能G3碳化硅常开结型场效应晶体管。该系列具有超低的导通电阻R_DS(on)和栅极电荷Q_G，可实现低导通和开关损耗。该器件在V_GS = 0 V时具有低R_DS(on)的常开特性，也无需主动控制即可用于电流保护电路，同样适用于级联操作。
商品特性
- 典型导通电阻R_DS(on),typ为66 mΩ
- 电压控制
- 最高工作温度为175 °C
- 不依赖于温度的极快开关速度
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- 该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 过流保护电路
- 直流-交流逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热