- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UJ4C075018K3S
硅碳化物(SiC) Cascode JFET功率N沟道器件
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ4C075018K3S
- 商品编号
- C45343210
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.8nC |
商品概述
UJ4C075018K3S是一款750 V、18 mΩ的第四代碳化硅场效应晶体管。它基于独特的“级联”电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，从而形成一个常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，可实现与硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的真正“直接替换”。该器件采用TO247-3封装，具有超低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻 RDS(on)：18 mΩ（典型值）
- 工作温度：175 ℃（最大值）
- 优异的反向恢复特性：Qrr = 102 nC
- 低体二极管正向压降 VFSD：1.14 V
- 低栅极电荷：QG = 37.8 nC
- 阈值电压 VG(th)：4.8 V（典型值），支持0至15 V驱动
- 低本征电容
- 静电放电保护：人体模型等级2和带电器件模型等级C3
- 本器件为无铅、无卤素且符合有害物质限制指令
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动