- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UJ4C075023K4S
碳化硅共源共栅JFET，功率N沟道，750V，23mohm
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 750V、23mΩ的G4 SiC FET。基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，以生产常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。采用TO-247-4L封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UJ4C075023K4S
- 商品编号
- C45343213
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 13.833333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.8nC |
商品概述
UJ4C075023K4S是一款750V、23毫欧的G4 SiC FET。它基于独特的“级联”电路配置，将一个常开型SiC JFET与一个Si MOSFET共同封装，从而形成一个常关型SiC FET器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，使其能够真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。该器件采用TO-247-4L封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)：23毫欧（典型值）
- 工作温度：175°C（最大值）
- 优异的反向恢复特性：Qrr = 105 nC
- 低体二极管正向压降：1.23 V
- 低栅极电荷：QG = 37.8 nC
- 阈值电压VG(th)：4.8 V（典型值），支持0~15 V驱动
- 低本征电容
- ESD保护：符合HBM Class 2和CDM Class C3标准
- TO-247-4L封装，可实现更快开关速度和更干净的栅极波形
- 本器件为无铅、无卤素产品，符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 功率因数校正模块
- 电机驱动
- 感应加热