UF4C120070K3S

碳化硅级联JFET功率N沟道场效应晶体管

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF4C120070K3S
商品编号: C45343129
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37.8nC

商品概述

UF4C120070K3S是一款1200V、72mΩ的G4系列碳化硅场效应晶体管。它基于独特的级联电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，从而形成一个常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件具有标准的栅极驱动特性，使其能够作为硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件的直接替换方案。该器件采用TO247-3封装，具有极低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

导通电阻 R_DS(on)：72 mΩ
最高工作温度：175 ℃
出色的反向恢复特性：Q_rr = 72 nC
低体二极管正向压降 V_FSD：1.43 V
低栅极电荷：Q_G = 37.8 nC
阈值电压 V_G(th)：4.8 V（典型值），支持0 ~ 15 V驱动
低本征电容
静电放电保护：人体模型等级2和带电器件模型等级C3
该器件为无铅、无卤素产品，符合有害物质限制指令

应用领域

电动汽车充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动

数据手册PDF

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