UF3C120400B7S

碳化硅(SiC)级联JFET，功率N沟道，TO-263-7

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: UF3C120400B7S
商品编号: C45343122
商品封装: D2PAK-7
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅结型场效应管(JFET)

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	22.5nC

商品概述

该碳化硅场效应晶体管器件基于独特的共源共栅电路配置，将常开型碳化硅结型场效应晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管共同封装，形成常关型碳化硅场效应晶体管器件。其标准栅极驱动特性使其能够真正实现“直接替换”硅绝缘栅双极型晶体管、硅场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管或硅超结器件。该器件采用TO-263-7封装，具有超低的栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

商品特性

导通电阻 RDS(on): 410 mohm (典型值)
工作温度: 175 ℃ (最大值)
优异的反向恢复特性: Qrr = 51 nC
低体二极管正向压降 VFSD: 1.5 V
低栅极电荷: QG = 22.5 nC
低本征电容
静电放电保护: 符合人体模型等级2和充电器件模型等级C3
本器件无铅、无卤素，符合RoHS标准

应用领域

开关电源
辅助电源
负载开关

数据手册PDF

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