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NCP1081DER2G

停产 NCP1081DER2G

描述: NCP1081 属于安森美半导体的大功率 HIPO 以太网供电器件 (PoE-PD) 系列产品，是一个适用于高要求中高功率以太网应用的、耐用、灵活且高度集成的方案。它在一个器件中结合了完全符合 IEEE 802.3af 和 IEEE 802.3at (Draft 3.0) 规范的增强型 PoE-PD 接口和可配置的 DC-DC 转换器控制器。NCP1081 的卓越功能为从以太网直接供电产品的设计提供了新的机会，并且无需本地电源适配器或电源线，大大降低了总体安装和维护成本。安森美半导体独特的制造工艺和设计增强使得 NCP1081 能够提供最高 25 W 且符合 IEEE 802.3at (Draft 3.0) 标准的电源，为专属大功率 PoE 应用则提供高达 40 W 的电源。NCP1081 符合 IEEE 802.3at (Draft 3.0) 标准，实施了两事件层 1 级分类。其他专属分类过程支持市场上的大功率电源设备 (PSE)。这些独特的大功率功能将将具有 PoE 功能系统的明显成本优势运用于新兴市场上的多种产品，如工业以太网、PTZ 和 Dome IP 摄像头、RFID、MIMO WLAN 接入点、笔记本电脑等。NCP1081 使用耐用的高电压工艺制造，将坚固的垂直 N 沟道 DMOS 与低损耗电流感应技术进行集成，适用于要求最高的环境，能够耐受热插拔和线路 ESD 事件等严苛环境。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP1081DER2G
商品编号: C464036
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.022克(g)

商品概述

NCP1081是安森美半导体高功率HIPO以太网受电设备（PoE - PD）产品系列的一员，是一款强大、灵活且高度集成的解决方案，适用于对功率要求较高的中、高功率以太网应用。它将支持IEEE802.3af和802.3at标准的增强型PoE - PD接口与灵活且可配置的DC - DC转换器控制器集成于一体。 NCP1081卓越的性能为直接通过以太网线供电的产品设计带来了新机遇，无需本地电源适配器或电源，大幅降低了整体安装和维护成本。安森美半导体独特的制造工艺和设计改进使NCP1081在IEEE802.3at标准下可提供高达25.5 W的功率，在专有高功率PoE应用中可提供高达40 W的功率。NCP1081支持IEEE802.3at标准，并实现了两事件物理层分类。额外的专有分类程序支持市场上的高功率供电设备（PSE）。其独特的高功率特性使PoE系统的显著成本优势得以扩展到新兴市场的更广泛产品中，如工业以太网设备、云台和半球型网络摄像机、RFID阅读器、MIMO无线局域网接入点、高端VoIP电话、笔记本电脑等。集成的电流模式DC - DC控制器适用于隔离和非隔离反激、正激和降压转换器拓扑。它具备灵活、强大且高效设计所需的所有特性，包括可编程开关频率、高达80%的占空比、斜率补偿和软启动。 NCP1081采用坚固的高压工艺制造，并集成了耐用的垂直N沟道DMOS，采用低损耗电流检测技术，适用于要求最苛刻的环境，能够承受热插拔和电缆静电放电等恶劣环境。 NCP1081完善了安森美半导体工业设备专用标准产品（ASSP）产品线，可与步进电机驱动器、CAN总线驱动器和其他高压接口设备结合，为工业和安防市场提供完整的解决方案。

商品特性

这些是无铅器件
支持IEEE802.3af和802.3at标准
支持IEEE802.3at两事件第一层分类
高功率第一层分类指示器
扩展功率范围高达40 W
可编程分类电流
可调欠压锁定
可编程浪涌电流限制
扩展功率范围下可编程工作电流限制高达1100 mA
过温保护
工业温度范围 -40℃至85℃，结温高达150℃时可全功能运行
采用低损耗电流检测技术的0.6 Ω热插拔开关
垂直N沟道DMOS开关结合集成温度控制，具备分立MOSFET的坚固性
电流模式控制
支持隔离和非隔离DC - DC转换器应用
内部电压调节器
宽占空比范围，带有内部斜率补偿电路
可编程振荡器频率
可编程软启动时间

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	以太网供电(PoE)控制器
	类型	受电设备(PD)
	最大功率	40W

	属性	参数值
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+85℃

NCP1081DER2G

商品参数

商品概述

商品特性

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