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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SD6288T

250V集成BSD三相桥高低侧同相栅极驱动芯片

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描述
SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
SD6288T
商品编号
C44606224
商品封装
TSSOP-20​
包装方式
编带
商品毛重
0.1801克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1A
工作电压5V~20V
上升时间(tr)40ns
属性参数值
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpLH150ns
传播延迟 tpHL120ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV

商品概述

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。 SD6288的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。 SD6288T为TSSOP20封装,SD6288Q为QFN24封装,可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

商品特性

  • 自举工作的浮地通道
  • 集成自举二极管
  • 最高工作电压为 +250V
  • dV/s/dt耐受能力可达 +50V / rms
  • 兼容3.3/5V输入逻辑
  • Vs负偏压能力达 -9V
  • 栅极驱动电压范围5V至20V
  • 高、低侧欠压锁定电路
  • 欠压锁定正向阈值4.5V
  • 欠压锁定负向阈值4.3V
  • 防直通死区逻辑
  • 死区时间设定200ns
  • 芯片传输延时特性
  • 开通/关断传输延时Ton/Tof = 150ns/150ns
  • 延迟匹配时间小于50ns
  • 宽温度范围 -40~125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力1.0A/1.5A
  • 符合RoSH标准

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 微型逆变器驱动

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

    购买数量

    (4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个4000个/圆盘

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