SD6288T
250V集成BSD三相桥高低侧同相栅极驱动芯片
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- 描述
- SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SD6288T
- 商品编号
- C44606224
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1801克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV |
商品概述
SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。 SD6288的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。 SD6288T为TSSOP20封装,SD6288Q为QFN24封装,可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 集成自举二极管
- 最高工作电压为 +250V
- dV/s/dt耐受能力可达 +50V / rms
- 兼容3.3/5V输入逻辑
- Vs负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围5V至20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.5V
- 欠压锁定负向阈值4.3V
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Tof = 150ns/150ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围 -40~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力1.0A/1.5A
- 符合RoSH标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交22单
