SD6288Q

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。 SD6288的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 SD6288T为TSSOP20封装，SD6288Q为QFN24封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

• 自举工作的浮地通道
• 集成自举二极管
• 最高工作电压为 +250V
• dV/s/dt耐受能力可达 +50V / rms
• 兼容3.3/5V输入逻辑
• Vs负偏压能力达 -9V
• 栅极驱动电压范围5V至20V
• 高、低侧欠压锁定电路
• 欠压锁定正向阈值4.5V
• 欠压锁定负向阈值4.3V
• 防直通死区逻辑
• 死区时间设定200ns
• 芯片传输延时特性
• 开通/关断传输延时Ton/Tof = 150ns/150ns
• 延迟匹配时间小于50ns
• 宽温度范围 -40~125°C
• 输出级拉电流/灌电流能力1.0A/1.5A
• 符合RoSH标准

• 电机控制
• 空调/洗衣机
• 通用逆变器
• 微型逆变器驱动