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JSM2103SSTR

700V集成BSD单相高同相低反相栅极驱动芯片

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描述: JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: JSM2103SSTR
商品编号: C44606222
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15425克(g)

商品参数

商品概述

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 700V。采用SOP-8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

商品特性

集成自举二极管
最高工作电压为 +700V
兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
dV/dt 耐受能力可达 ±50V/ns
Vs 负偏压能力达 -9V
集成VCC欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值 8.9V
- 欠压锁定负向阈值 8.2V
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时 Ton/Toff = 650ns/130ns
- 延迟匹配时间 50ns
防止直通保护
- 死区时间 520ns
宽温度范围 -40°C ~ 125°C
输出级拉电流/灌电流能力 300mA/600mA
符合RoSH标准
SOP-8封装

应用领域

电机控制
工业自动化
通用逆变器
电源转换
PWM控制系统谐振电路驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	300mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	75ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA