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ADR444BRZ

超低噪声、4.096V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

描述: ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，该系列产品在电压随温度变化时的非线性得到了极大改善。相比掩埋齐纳基准源，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: ADR444BRZ
商品编号: C459700
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.37克(g)

商品参数

商品概述

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。通过采用温度漂移曲率校正和额外植入式结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445的电压随温度变化的非线性得到了极大的改善。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作。这些特性的结合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合用于高端数据采集系统、光网络和医疗应用中的精密信号转换。 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列能够提供高达10 mA的输出电流，并吸收高达 -5 mA的电流。它还配备了一个微调端子，可在不影响性能的情况下将输出电压调节0.5%。

商品特性

超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）：ADR440：1 µV峰 - 峰值；ADR441：1.2 µV峰 - 峰值；ADR443：1.4 µV峰 - 峰值；ADR444：1.8 µV峰 - 峰值；ADR445：2.25 µV峰 - 峰值
出色的温度系数：A级：10 ppm/°C；B级：3 ppm/°C
低压差工作（电源电压裕量）：500 mV
输入范围：(Vout + 500 mV)至18 V
高输出源电流和吸收电流：分别为+10 mA和 -5 mA
宽温度范围：-40°C至+125°C

应用领域

精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
电池供电的仪器仪表
便携式医疗设备
工业过程控制系统
精密仪器
光控电路

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交货周期

订货39-41个工作日

购买数量

(98个/管，最小起订量 1078 个)

个

起订量：1078 个98个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交6单

	属性	参数值
	商品目录	电压基准芯片
	输出类型	固定
	工作电压	4.6V~18V
	输出电压	4.096V
	输出电流	10mA
	精度	±0.04%

	属性	参数值
	温度系数	3ppm/℃
	电压基准类型	串联
	静态电流(Iq)	3.75mA
	最小阴极电流调节	-
	噪声(0.1Hz-10Hz)	1.8uVp-p
	工作温度	-40℃~+125℃