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IKW40N65H5

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属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)74A
功率(Pd)250W
正向压降(Vf@If)1.45V@20A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)1.65V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)4V@400uA
属性参数值
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)95nC@40A,15V
输入电容(Cies@Vce)2.5nF@25V
开启延迟时间(Td(on))22ns
关断延迟时间(Td(off))165ns
导通损耗(Eon)0.39mJ
关断损耗(Eoff)0.12mJ
反向恢复时间(Trr)62ns
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

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