温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW60R060P7
1个N沟道 耐压:600V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R060P7
- 商品编号
- C454258
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,15.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.895nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时具有出色的鲁棒性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换相鲁棒性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性极佳，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ohmmm²）使RDS(on)/封装产品优于竞争对手
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- 用于PC主机、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。