温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IKW75N65EL5
650V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW75N65EL5
- 商品编号
- C454251
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.35V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 436nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 12.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 275ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.61mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 114ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 42pF |