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IKW50N65ES5
TRENCHSTOP 5高速软开关IGBT，配备全电流额定RAPID 1二极管
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- 描述
- 特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW50N65ES5
- 商品编号
- C454257
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 274W | |
| 输出电容(Coes) | 88pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 127ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.23mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 550uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF |
优惠活动
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