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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R190CFD

1个N沟道 耐压:650V 电流:17.5A

商品型号
IPW65R190CFD
商品编号
C454256
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.99克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)17.5A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,7.3A
属性参数值
耗散功率(Pd)151W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)68nC@480V
输入电容(Ciss)1.85nF@100V

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结 (SJ) 原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时提供极快速且稳健的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的稳健性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 极高的换相耐用性
  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 易于使用/驱动
  • 根据 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用
  • 无铅电镀,无卤模塑料

应用领域

  • 650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级,例如 PC 电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。

数据手册PDF