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IKW75N65ES5
TRENCHSTOP 5高速软开关IGBT，配备全电流额定RAPID 1二极管
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- 描述
- 特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW75N65ES5
- 商品编号
- C454250
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 输出电容(Coes) | 130pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.75mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 144ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 950uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 85ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 17pF |