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DMN2215UDM-7
停产 2个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2215UDM-7
- 商品编号
- C444413
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@1.8V,0.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 188pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.5 A时为100 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 1.5 A时为140 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 0.1 A时为215 mΩ
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备2kV HBM静电防护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件