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ZXMN2B03E6TA
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.4A
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- 描述
- 新一代沟槽MOSFET具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2B03E6TA
- 商品编号
- C444978
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低栅极驱动能力-完全无铅且完全符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制