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ZXMN3A04DN8TA
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3A04DN8TA
- 商品编号
- C445021
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,12.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
新一代沟槽式MOSFET采用独特结构，集低导通电阻与快速开关速度优势于一体。这使其成为高效、低压电源管理应用的理想之选。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- 薄型SOIC封装
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 电源管理功能
- 断开开关
- 电机控制