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IXTH52P10P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH52P10P

1个P沟道 耐压:100V 电流:52A

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描述
特性:国际标准封装。快速本征二极管。动态dv/dt额定。雪崩额定。耐用的PolarPTM工艺。低QG和Rds(on)。应用:高端开关。推挽放大器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTH52P10P
商品编号
C444862
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.93克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)52A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V,52A
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.845nF@25V
反向传输电容(Crss)275pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速本征二极管
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定值
  • 耐用的PolarP™工艺
  • 低栅极电荷(QG)和低导通电阻(Rds(on))
  • 低漏极至散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 电流调节器
  • 自动测试设备

数据手册PDF