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DMP210DUFB4-7
停产 1个P沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP210DUFB4-7
- 商品编号
- C445553
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.01pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 0.4mm超薄封装，适用于轻薄应用
- 0.48mm²封装尺寸，比SOT23小16倍
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器