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DMG4511SK4-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:35V 电流:13A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG4511SK4-13
- 商品编号
- C445515
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V；35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.7nC@10V；19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF；985.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51.9pF；75.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64.7pF；90.6pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm超薄厚度——非常适合薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能