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ZXTN5551GTA
NPN 电流:600mA 电压:160V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 IC = 600mA 连续集电极电流。 低饱和电压（最大 150mV @10mA）。 hFE 指定高达 50mA 以保持高增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：高压放大
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN5551GTA
- 商品编号
- C445542
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 65MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV@10mA,1mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |