温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 100 V VDS
- RDS(导通) = 3 Ω
- 低阈值电压
- E-Line
- 兼容TO92封装