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DMP1555UFA-7B
1个P沟道 耐压:12V 电流:0.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1555UFA-7B
- 商品编号
- C444477
- 商品封装
- DFN-3L(0.6x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 840pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4435B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 0.4mm超薄封装,适用于轻薄应用
- 封装尺寸为 0.48 mm^2,比SOT23小16倍
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器