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DMP1555UFA-7B
1个P沟道 耐压:12V 电流:0.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1555UFA-7B
- 商品编号
- C444477
- 商品封装
- DFN-3L(0.6x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 840pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55.4pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4435B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 栅源电压（VGS） = -4.5V、漏极电流（ID） = -5.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 33 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10V、漏极电流（ID） = -8.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 25 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理