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XR3350M
双N沟道，20V MOSFET
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- 描述
- 特性：绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 TrenchFET功率MOSFET。 优秀的导通电阻RDS(on)。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3350M
- 商品编号
- C42456716
- 商品封装
- DFN3030-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 40V、5A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 33mΩ
- 改善dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载开关
- 手持仪器