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XR9926A
N沟道 20V 6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR9926A
- 商品编号
- C42456721
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 358pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.3pF |
商品概述
XR9926A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术