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XR8814L
双N沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8814L
- 商品编号
- C42456722
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@4.5V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR30N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR30N02符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术