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XR8810B
N沟道 20V 7A
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- 描述
- 是低RDSON沟槽式N沟道MOSFET，具有强大的ESD保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用，符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8810B
- 商品编号
- C42456725
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0726克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@2.5V；13.5mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品概述
XR8810B是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。 XR8810B符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术