温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR100N03D
N沟道30V快速开关MOSFET
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR100N03D
- 商品编号
- C42456734
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 282pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
XR60N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR60N03D符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且经过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术