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XR60N03D
N沟道30V快速开关MOSFET
- 描述
- 高细胞密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR60N03D
- 商品编号
- C42456732
- 商品封装
- PDFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
XR8205A是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 XR8205A符合RoHS标准和绿色产品要求，且具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-极低的栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术