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XR9928
双N沟道20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR9928
- 商品编号
- C42456720
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 出色的导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
- 静电放电（ESD）等级：2000V人体模型（HBM）